Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - vieni > APT85GR120L
Pieprasīt citātu
Latviešu
3868439APT85GR120L attēlsMicrosemi

APT85GR120L

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$16.96
10+
$15.422
25+
$14.266
100+
$13.109
250+
$11.952
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT85GR120L
  • Ražotājs / zīmols
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IGBT 1200V 170A 962W TO264
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
  • ECAD modelis
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    1200V
  • Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic
    3.2V @ 15V, 85A
  • Testa stāvoklis
    600V, 85A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (ieslēgts / izslēgts) @ 25 ° C
    43ns/300ns
  • Pārslēgšanas enerģija
    6mJ (on), 3.8mJ (off)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-264
  • Sērija
    -
  • Jauda - maks
    962W
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-264-3, TO-264AA
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    19 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades veids
    Standard
  • IGBT tips
    NPT
  • Vārtu iekasēšana
    660nC
  • Detalizēts apraksts
    IGBT NPT 1200V 170A 962W Through Hole TO-264
  • Pašreizējais - impulsu savācējs (Icm)
    340A
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    170A
APT95GR65B2

APT95GR65B2

Apraksts: IGBT 650V 208A 892W T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT94N65B2C3G

APT94N65B2C3G

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 94A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT80SM120S

APT80SM120S

Apraksts: POWER MOSFET - SIC

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT80SM120J

APT80SM120J

Apraksts: POWER MOSFET - SIC

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT8M100B

APT8M100B

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT85GR120JD60

APT85GR120JD60

Apraksts: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT94N65B2C6

APT94N65B2C6

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT84F50B2

APT84F50B2

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT80SM120B

APT80SM120B

Apraksts: POWER MOSFET - SIC

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT85GR120J

APT85GR120J

Apraksts: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT85GR120B2

APT85GR120B2

Apraksts: IGBT 1200V 170A 962W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT84F50L

APT84F50L

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT84M50L

APT84M50L

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT95GR65JDU60

APT95GR65JDU60

Apraksts: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT8DQ60KCTG

APT8DQ60KCTG

Apraksts: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT90DR160HJ

APT90DR160HJ

Apraksts: DIODE MODULE 1.6V SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT84M50B2

APT84M50B2

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT97N65LC6

APT97N65LC6

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 97A TO-264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT94N60L2C3G

APT94N60L2C3G

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 94A TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT8M80K

APT8M80K

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā

Review (1)

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu