Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - moduļi > APT100GF60JU2
Pieprasīt citātu
Latviešu
6007052APT100GF60JU2 attēlsMicrosemi

APT100GF60JU2

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT100GF60JU2
  • Ražotājs / zīmols
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IGBT 600V 120A 416W SOT227
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
  • ECAD modelis
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    600V
  • Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 100A
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-227
  • Sērija
    -
  • Jauda - maks
    416W
  • Iepakojums / lieta
    ISOTOP
  • Citi vārdi
    APT100GF60JU2MI
    APT100GF60JU2MI-ND
  • Darbības temperatūra
    -
  • NTC termistors
    Yes
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Cies) @ Vce
    12.3nF @ 25V
  • Ievade
    Standard
  • IGBT tips
    NPT
  • Detalizēts apraksts
    IGBT Module NPT Single 600V 120A 416W Chassis Mount SOT-227
  • Current - Collector Cutoff (Maks.)
    250µA
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    120A
  • Konfigurācija
    Single
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Apraksts: IGBT 600V 229A 625W TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT100DL60BG

APT100DL60BG

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10078SLLG

APT10078SLLG

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT100DL60HJ

APT100DL60HJ

Apraksts: MOD DIODE 600V SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Apraksts: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT100F50J

APT100F50J

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10078BLLG

APT10078BLLG

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT100GF60JU3

APT100GF60JU3

Apraksts: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10045JLL

APT10045JLL

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT100GN120B2G

APT100GN120B2G

Apraksts: IGBT 1200V 245A 960W TMAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

Apraksts: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10090BLLG

APT10090BLLG

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT100GN60B2G

APT100GN60B2G

Apraksts: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10090BFLLG

APT10090BFLLG

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
APT10045B2LLG

APT10045B2LLG

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Apraksts: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Apraksts: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT100GLQ65JU2

APT100GLQ65JU2

Apraksts: POWER MODULE - IGBT

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT1003RKLLG

APT1003RKLLG

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT100GN120J

APT100GN120J

Apraksts: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā

Review (1)

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu