Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > ESH1D R3G
Pieprasīt citātu
Latviešu
5454824ESH1D R3G attēlsTSC (Taiwan Semiconductor)

ESH1D R3G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
7200+
$0.077
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    ESH1D R3G
  • Ražotājs / zīmols
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
  • ECAD modelis
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    900mV @ 1A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    200V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-214AC (SMA)
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    15ns
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    DO-214AC, SMA
  • Citi vārdi
    ESH1D R3G-ND
    ESH1DR3G
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 175°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    17 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1µA @ 200V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    1A
  • Ietilpība @ Vr, F
    16pF @ 4V, 1MHz
ESH1C R3G

ESH1C R3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
ESH1C-E3/5AT

ESH1C-E3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
ESH1BHE3_A/I

ESH1BHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
ESH1DHE3/61T

ESH1DHE3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
ESH1DHE3/5AT

ESH1DHE3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
ESH1C M2G

ESH1C M2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
ESH1D-M3/61T

ESH1D-M3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
ESH1DHE3_A/H

ESH1DHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
ESH1B-M3/5AT

ESH1B-M3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
ESH1C-E3/61T

ESH1C-E3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
ESH1BHE3_A/H

ESH1BHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
ESH1D M2G

ESH1D M2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
ESH1GM RSG

ESH1GM RSG

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A MICRO SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
ESH1DHE3_A/I

ESH1DHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
ESH1B-M3/61T

ESH1B-M3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
ESH1B-E3/61T

ESH1B-E3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
ESH1D-E3/61T

ESH1D-E3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
ESH1DM RSG

ESH1DM RSG

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
ESH1JM RSG

ESH1JM RSG

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
ESH1D-M3/5AT

ESH1D-M3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā

Review (1)

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu