Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - moduļi > APT70GR120J
Pieprasīt citātu
Latviešu
6710166APT70GR120J attēlsMicrosemi

APT70GR120J

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT70GR120J
  • Ražotājs / zīmols
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IGBT 1200V 112A 543W SOT227
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
  • ECAD modelis
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    1200V
  • Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic
    3.2V @ 15V, 70A
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-227
  • Sērija
    -
  • Jauda - maks
    543W
  • Iepakojums / lieta
    SOT-227-4
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistors
    No
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Cies) @ Vce
    7.26nF @ 25V
  • Ievade
    Standard
  • IGBT tips
    NPT
  • Detalizēts apraksts
    IGBT Module NPT Single 1200V 112A 543W Chassis Mount SOT-227
  • Current - Collector Cutoff (Maks.)
    1mA
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    112A
  • Konfigurācija
    Single
APT70GR65B

APT70GR65B

Apraksts: IGBT 650V 134A 595W TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT70GR65B2SCD30

APT70GR65B2SCD30

Apraksts: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT66M60B2

APT66M60B2

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT68GA60B

APT68GA60B

Apraksts: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT70GR120B2

APT70GR120B2

Apraksts: IGBT 1200V 160A 961W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT70GR120L

APT70GR120L

Apraksts: IGBT 1200V 160A 961W TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT70SM70J

APT70SM70J

Apraksts: POWER MOSFET - SIC

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT6M100K

APT6M100K

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

Apraksts: IGBT 600V 198A 833W TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT66F60B2

APT66F60B2

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT75DL120HJ

APT75DL120HJ

Apraksts: MOD DIODE 1200V SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

Apraksts: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT70SM70S

APT70SM70S

Apraksts: POWER MOSFET - SIC

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT66F60L

APT66F60L

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

Apraksts: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT70GR120JD60

APT70GR120JD60

Apraksts: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT70GR65B2DU40

APT70GR65B2DU40

Apraksts: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT75DF170HJ

APT75DF170HJ

Apraksts: MOD DIODE 1700V SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT70SM70B

APT70SM70B

Apraksts: POWER MOSFET - SIC

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT66M60L

APT66M60L

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā

Review (1)

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu