Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - vieni > APT45GR65B
Pieprasīt citātu
Latviešu
4205793APT45GR65B attēlsMicrosemi

APT45GR65B

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$6.75
10+
$6.024
30+
$5.422
120+
$4.94
270+
$4.458
510+
$4.00
1020+
$3.374
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT45GR65B
  • Ražotājs / zīmols
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IGBT 650V 92A 357W TO-247
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
  • ECAD modelis
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    650V
  • Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 45A
  • Testa stāvoklis
    433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (ieslēgts / izslēgts) @ 25 ° C
    15ns/100ns
  • Pārslēgšanas enerģija
    900µJ (on), 580µJ (off)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-247
  • Sērija
    -
  • Jauda - maks
    357W
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-247-3
  • Darbības temperatūra
    -
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    28 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades veids
    Standard
  • IGBT tips
    NPT
  • Vārtu iekasēšana
    203nC
  • Detalizēts apraksts
    IGBT NPT 650V 92A 357W Through Hole TO-247
  • Pašreizējais - impulsu savācējs (Icm)
    168A
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    92A
APT45GP120BG

APT45GP120BG

Apraksts: IGBT 1200V 100A 625W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

Apraksts: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT45M100J

APT45M100J

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT47GA60JD40

APT47GA60JD40

Apraksts: IGBT 600V 87A 283W SOT-227

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
APT47M60J

APT47M60J

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT44GA60BD30C

APT44GA60BD30C

Apraksts: IGBT 600V 78A 337W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

Apraksts: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

Apraksts: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

Apraksts: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT45GP120J

APT45GP120J

Apraksts: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

Apraksts: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT47N60BC3G

APT47N60BC3G

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT44F80L

APT44F80L

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 44A TO-264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT44GA60B

APT44GA60B

Apraksts: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT43M60L

APT43M60L

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT47F60J

APT47F60J

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT47N60SC3G

APT47N60SC3G

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT44GA60BD30

APT44GA60BD30

Apraksts: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

Apraksts: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT44F80B2

APT44F80B2

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā

Review (1)

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu