Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - moduļi > APT35GP120J
Pieprasīt citātu
Latviešu
29834APT35GP120J attēlsMicrosemi

APT35GP120J

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$38.62
10+
$35.721
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT35GP120J
  • Ražotājs / zīmols
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IGBT 1200V 64A 284W SOT227
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
  • ECAD modelis
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    1200V
  • Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic
    3.9V @ 15V, 35A
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    ISOTOP®
  • Sērija
    POWER MOS 7®
  • Jauda - maks
    284W
  • Iepakojums / lieta
    ISOTOP
  • Citi vārdi
    APT35GP120JMI
    APT35GP120JMI-ND
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistors
    No
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Cies) @ Vce
    3.24nF @ 25V
  • Ievade
    Standard
  • IGBT tips
    PT
  • Detalizēts apraksts
    IGBT Module PT Single 1200V 64A 284W Chassis Mount ISOTOP®
  • Current - Collector Cutoff (Maks.)
    250µA
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    64A
  • Konfigurācija
    Single
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

Apraksts: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT34N80B2C3G

APT34N80B2C3G

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT35GA90B

APT35GA90B

Apraksts: IGBT 900V 63A 290W TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT37F50S

APT37F50S

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

Apraksts: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT35SM70B

APT35SM70B

Apraksts: MOSFET N-CH 700V TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

Apraksts: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT36GA60BD15

APT36GA60BD15

Apraksts: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Apraksts: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT36N90BC3G

APT36N90BC3G

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT35SM70S

APT35SM70S

Apraksts: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

Apraksts: IGBT 900V 63A 290W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT34N80LC3G

APT34N80LC3G

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT35GN120BG

APT35GN120BG

Apraksts: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT37F50B

APT37F50B

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT35DL120HJ

APT35DL120HJ

Apraksts: DIODE MODULE 1.2KV SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT34M60B

APT34M60B

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT36GA60B

APT36GA60B

Apraksts: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Apraksts: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Apraksts: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā

Review (1)

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu