Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > APT34M120J
Pieprasīt citātu
Latviešu
4338082APT34M120J attēlsMicrosemi

APT34M120J

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$55.31
10+
$52.061
30+
$48.807
100+
$46.529
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT34M120J
  • Ražotājs / zīmols
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-227
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    300 mOhm @ 25A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    960W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Citi vārdi
    APT34M120JMI
    APT34M120JMI-ND
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    17 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    18200pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    560nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    1200V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 1200V 35A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)
APT34M60B

APT34M60B

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Apraksts: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT33N90JCU3

APT33N90JCU3

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT34F60BG

APT34F60BG

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Apraksts: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT34F100B2

APT34F100B2

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT35GN120BG

APT35GN120BG

Apraksts: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT34F60B

APT34F60B

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT34F100L

APT34F100L

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 35A TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT33GF120BRG

APT33GF120BRG

Apraksts: IGBT 1200V 52A 297W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT33N90JCU2

APT33N90JCU2

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT33N90JCCU3

APT33N90JCCU3

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT35GA90B

APT35GA90B

Apraksts: IGBT 900V 63A 290W TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT33N90JCCU2

APT33N90JCCU2

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT35DL120HJ

APT35DL120HJ

Apraksts: DIODE MODULE 1.2KV SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Apraksts: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT34N80B2C3G

APT34N80B2C3G

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT33GF120LRDQ2G

APT33GF120LRDQ2G

Apraksts: IGBT 1200V 64A 357W TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT34N80LC3G

APT34N80LC3G

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

Apraksts: IGBT 900V 63A 290W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā

Review (1)

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu