Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > APT100S20BG
Pieprasīt citātu
Latviešu
5337532APT100S20BG attēlsMicrosemi

APT100S20BG

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$7.71
30+
$6.323
120+
$5.706
510+
$4.781
1020+
$4.164
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT100S20BG
  • Ražotājs / zīmols
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
  • ECAD modelis
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    950mV @ 100A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    200V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-247 [B]
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    70ns
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-247-2
  • Citi vārdi
    APT100S20BGMI
    APT100S20BGMI-ND
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    26 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Schottky
  • Detalizēts apraksts
    Diode Schottky 200V 120A Through Hole TO-247 [B]
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    2mA @ 200V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    120A
  • Ietilpība @ Vr, F
    -
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Apraksts: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Apraksts: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Apraksts: IGBT 600V 229A 625W TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Apraksts: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Apraksts: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Apraksts: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Apraksts: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Apraksts: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT100M50J

APT100M50J

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Apraksts: IGBT 600V 183A 780W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT102GA60L

APT102GA60L

Apraksts: IGBT 600V 183A 780W TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Apraksts: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Apraksts: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā

Review (1)

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu