Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > MP6M11TCR
Pieprasīt citātu
Latviešu
4823563MP6M11TCR attēlsLAPIS Semiconductor

MP6M11TCR

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    MP6M11TCR
  • Ražotājs / zīmols
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    MPT6
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    98 mOhm @ 3.5A, 10V
  • Jauda - maks
    2W
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    6-SMD, Flat Leads
  • Citi vārdi
    MP6M11TCRTR
  • Darbības temperatūra
    150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    85pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    1.9nC @ 5V
  • FET tips
    N and P-Channel
  • FET iezīme
    Logic Level Gate
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A 2W Surface Mount MPT6
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    3.5A
  • Bāzes daļas numurs
    *M11
MP6M12TCR

MP6M12TCR

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
MP6KE8.2AE3

MP6KE8.2AE3

Apraksts: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6KE82AE3

MP6KE82AE3

Apraksts: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6KE91CAE3

MP6KE91CAE3

Apraksts: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6Z13TR

MP6Z13TR

Apraksts: TRANS NPN/PNP 50V 3A 6MPT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
MP6KE9.1AE3

MP6KE9.1AE3

Apraksts: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6KE82CAE3

MP6KE82CAE3

Apraksts: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6KE82A

MP6KE82A

Apraksts: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6KE75CAE3

MP6KE75CAE3

Apraksts: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6KE8.2CA

MP6KE8.2CA

Apraksts: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6M14TCR

MP6M14TCR

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
MP6KE9.1CAE3

MP6KE9.1CAE3

Apraksts: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6KE91AE3

MP6KE91AE3

Apraksts: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6KE8.2CAE3

MP6KE8.2CAE3

Apraksts: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6KE9.1A

MP6KE9.1A

Apraksts: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6KE91CA

MP6KE91CA

Apraksts: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6KE9.1CA

MP6KE9.1CA

Apraksts: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6KE82CA

MP6KE82CA

Apraksts: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6KE8.2A

MP6KE8.2A

Apraksts: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6KE91A

MP6KE91A

Apraksts: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā

Review (1)

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu